2016年中国前10强半导体设备商销售收入48.34亿元，同比增长28.5%，但其中最大的中电科电子装备集团有限公司的销售收入只有9.08亿元，远低于国际巨头，我国前10强企业占全球半导体设备的份额只有2%左右。2017年1月至6月，国内半导体设备行业完成销售收入36.77亿元，同比增长27.6%。当前，随着新一代信息技术的快速发展，集成电路需求量快速上升，我国半导体设备行业正迎来前所未有的发展机遇。

目前，我国已经实现了12英寸国产装备从无到有的突破，总体水平达到28纳米，刻蚀机、离子注入机、PVD、CMP等16种关键装备产品通过大生产线验证考核并实现销售。光刻机样机研发成功并实现90纳米曝光分辨率，国产曝光系统与双工件台实现研发目标；65-45纳米工艺完成研发进入量产，28纳米工艺完成研发即将进入生产，20-14纳米工艺取得关键技术成果；集成电路封装多项技术接近国际先进水平；抛光剂、溅射靶材等关键材料被国内外生产线批量应用。部分应用于14nm的国产设备已经开始进入生产线，步入验证。目前国内已有9项装备步入14nm验证中，其中主要的厂商有北方华创（6项）、中微半导体（1项）、睿励科仪（1项）和上海盛美（1项）。今天我们就来重点谈谈中微半导体。

中微半导体:"在头发丝里建大厦"

中微目前在台积电已经顺利进驻超过200台反应机台，并与台积电展开7纳米工艺制程合作，未来将跨入下一世代5纳米合作。中微在全球已经建置582台反应机台。目前中微半导体产品已经进入第三代10纳米、7纳米工艺，并进入晶圆厂验证生产阶段，即将进入下一世代5纳米、甚至3.5纳米工艺。其中Primo AD-RIE™是中微公司用于流程前端（FEOL）及后端（BEOL）关键刻蚀应用的第二代电介质刻蚀设备，主要用于22纳米及以下的芯片刻蚀加工。基于前一代产品Primo D-RIE刻蚀设备已被业界认可的性能和良好的运行记录，Primo AD-RIE做了进一步的改进：采用了具有自主知识产权的可切换低频的射频设计，优化了上电极气流分布及下电极温度调控的设计。Primo AD-RIE已经成功通过了3000片晶片马拉松测试。除已证实其具备更优越的重复性及稳定性以外，该产品还可将晶片上关键尺寸均匀度控制在2纳米内。

目前国际知名企业如意法半导体、博世半导体在MEMS领域TSV硅刻蚀也都采用中微机台。中微半导体在北京已创下一个世界纪录，其机台设备从导入到进入大生产阶段仅需要42小时，而之前美国企业的保持纪录则是44.5小时。中微之所以取得如此巨大的成就离不开其创始人尹志尧。

尹志尧

尹志尧，出生于北京。1968年，尹志尧从中国科学技术大学化学物理系毕业。1980年，前往加利福尼亚大学洛杉矶分校留学，并获得物理化学博士学位。2004年，尹志尧在上海创办中微半导体设备公司（AMEC）担任公司董事长兼总裁。尹志尧在美国硅谷从事半导体行业20多年，曾任应用材料公司副总裁。1991年，尹志尧来到应用材料公司，负责研发工作，拥有60多项技术专利。尹志尧开发或参与开发的产品，现在在这个领域大概占了全世界的50％。另外，还帮助成立了硅谷中国工程师协会，并担任了头两任的主席，被誉为硅谷最有成就的华人之一。2004年，60岁的尹志尧带领着三十多人的团队回到中国。

中微半导体

“在米粒上刻字的微雕技艺上，一般能刻200个字已经是极限，而我们的等离子刻蚀机在芯片上的加工工艺，相当于可以在米粒上刻10亿个字的水平。”尹志尧说：“设备的研发比芯片新技术的研发至少要提前5年。5纳米估计5年以后用户才能够用的到，苹果8是10纳米技术。而且5纳米芯片技术需要50个学科才能把它集成起来，它的复杂度要做到人的头发丝万分之一这么小的结构。”目前中微半导体能研发生产10nm到7nm的设备，已经与世界最前沿技术比肩。其团队中，上百人都曾是美国和世界一流的芯片和设备企业的技术骨干，大都有着20到30多年半导体设备研发制造的经验，而且这些工程师们有着物理、化学、机械、工程技术等50多种专业知识背景。可以预期，随着越来越多海外顶尖技术人才陆续回国，我国一举突破海外半导体相关技术封锁只是个时间问题。