三星宣布量产1TB eUFS 2.1，S10有望搭载

今天(1月30日)，三星在官方宣布开始量产业界首款1TB嵌入式通用闪存(eUFS)2.1，读取速度高达1000MB/s，写入速度260MB/s。

据介绍，在相同封装尺寸(11.5mm x 13.0mm)内，1TB eUFS解决方案将先前512GB版本的容量提升了一倍，将16个512 Gb V-NAND芯片和新开发的专有闪存控制器组合在一起。

三星电子内存销售与营销执行副总裁Cheol Choi表示：“1TB eUFS预计将在为下一代移动设备带来更多类似笔记本的用户体验方面发挥关键作用。更重要的是，三星致力于确保最可靠的供应链和足够的生产数量，以支持及时推出即将推出的旗舰智能手机，以加速全球移动市场的增长。”

显然，我们可以将这一消息和即将发布的三星Galaxy S10联系起来，业内人士猜测S10将有1TB规格。

据悉，三星计划在2019年上半年在其位于韩国的Pyeongtaek工厂扩大其第五代512Gb V-NAND的产量，以全面满足全球移动设备制造商对1TB eUFS的强劲需求。