SK海力士开发成功HBM3动态随机存取存储器 内置ECC校检

韩国SK海力士日前宣布，该公司开发成功HBM3动态随机存取存储器(DRAM)，每秒能够处理819GB的数据，内置ECC校检。

该HBM3DRAM将以16GB和24GB两种容量上市。其中24GB是业界目前最大容量。在24GB产品中，单品DRAM芯片的高度被磨削到约30μm，使用TSV技术垂直连接12个芯片。

HBM3被称为第四代HBM，由多个垂直连接的DRAM芯片堆叠而成，能够创新性地提高内存带宽。 SK海力士2020年7月在业界最先开始量产HBM2DRAM。

SK海力士强调，将继续巩固高端存储器市场领导力，提供符合ESG(环境、社会、公司治理)经营理念的产品，尽最大努力提高客户价值。(科技日报记者 邰举)