HLC存储密度毕竟比QLC高出50% 实现HLC闪存1000次PE

说起来，SSD和机械硬盘，提升容量的方式有些相似，前者主要靠提高每单元存储的电位数量和增加堆叠层数，而后者则是靠增大盘片容量和盘片数。

闪存颗粒的演进我们已经看在眼里，MLC SSD已经基本在消费市场绝迹，目前主要是TLC尤其是QLC打天下。

所谓QLC就是每单元存储4个电位，而取代它的将是存储5电位的PLC(penta level cell)。

实际上，铠侠(原东芝存储)早在2019年就投入了PLC闪存技术的研究。铠侠最近披露表示，PLC之后，还有存储6电位的HLC(hexa level cell)和存储8电位的OLC(octa level cell)。

因为要存储多个电位，就需要不同的电压状态，QLC是2的4次方，也就是16个电压状态，PLC是32个，相应地，HLC需要多达64种电压状态，这对主控将是极大的考验，毕竟64种电信号不能相互干扰。

尽管难度高，但HLC的存储密度毕竟比QLC高出50%，对厂商的诱惑还是很大。

目前，铠侠已经在-196°C的液氮环境中，实现了HLC闪存1000次PE(可编程擦写循环)。预计量产后，恐怕会降到100次PE。

当然，大家不用太担忧，因为HLC时代，存储容量将非常夸张，堆叠层数也会在600~1000次甚至更多，这意味要写满一次SSD，需要的时间并不会比现在的TLC、QLC明显差很多。