存储器板图生变？兆易创新有望成为中国版“三星”
上一篇文章，《国家集成电路产业基金入股之兆易创新》，我们谈到了，兆易创新有望从国内NOR Flash民营龙头走向国家存储平台，今天谈一谈兆易创新为什么有望成为中国版“三星”。
为便于理解先解释几个名词：DRAM（Dynamic Random Access Memory)），即动态随机存取存储器，也就是我们经常见到的电脑上的内存条；NAND,以存储数据为主，又称Data Flash,主流容量为2GB，NOR：NOR Flash是一种非易失闪存技术，是Intel在1988年创建；
简单的理解DRAM就是内存；NAND和NOR这两个概念比较容易混淆，其实都是闪存技术，NAND就是存储容量大，一般为8～128MB，一般不超过2G；NOR flash主要为容量1～16MB闪存；
再看下市场：2015年半导体市场有3352亿美元。其中存储器有772亿美元， 2016年，存储器更是达到近800亿美元的市场份额。存储器占到了整个半导体市场的23%左右，
DRAM市场主要供应商是三星，海力士，美光。其中三星占到了市场的百分之四十六，是市场的老大，海力士占到了市场的百分之二十八，而美光的份额相对较低（去年紫光要买，人家不卖，嘿嘿），占到了市场的百分之十九。NAND闪存主要有四大阵营，一个是三星，第二是闪迪和东芝组成的联盟，第三是美光和Intel组成的联盟，第四是海力士。
上图是2016年NAND的全球市场份额，可以看出，目前的存储器市场是一个垄断的寡头市场；
再看下中国的市场：全球主流存储器应该有800亿美元的市场，中国大概能够占世界市场总量百分之二十以上。中国占据全球DRAM市场的百分之二十二，约 120亿美元；而中国能占据全球NAND闪存的百分之二十九，有67亿美元。如果将两者加起来就可算出中国有将近两百亿美元的存储器市场，可以看出我们中国是一个很大的消费市场，而我们国内在存储器研发这方面能够贡献的几乎为零；是的，你们没有看错，我们是零。
海力士
不过去年，我们有了两个2亿美元的销售额，占到了总市场200多亿不到百分之一；
好了，这里还是要谈到兆易创新，兆易创新2005年从硅谷车库搬到了清华科技园；2007年底推出第一颗NOR闪存；2013年公司推出了国内首款基于ARM架构的32位通用MCU产品，成为国内首家推出M3架构MCU的公司；2015年8月，公司设计的中国第一颗自主的NAND产品在中芯国际实现量产；2016年8月在上交所上市；
因此，可以看出目前芯片设计公司在人才方面不存在瓶颈，而是需要国内的制造企业提供匹配的技术和平台来验证和生产公司设计的产品；
而NOR的市场很小，只有30-40亿美元，存储器总市场为800亿美元，剩下的都是DRAM和NAND的市场，也许这也是兆易创新先从NOR市场切入，能够活下来的原因；因为可以避免与国际巨无霸直接竞争，发挥中小公司优势；
美光
目前国内存储器市场主要有三个玩家：福建晋华，紫光集团（长江存储），兆易创新；
兆易创新与合肥产投于2017年10月26日签署了《关于存储器研发项目之合作协议》，约定双方合作开展工艺制程19nm 12英寸晶圆存储器（含DRAM等）研发项目，预算约为180亿元人民币。项目目标在2018年12月31日前研发成功，实现产品良率不低于10%。
核心观点：
合肥长鑫是合肥产投全资子公司，因此先后通过大基金入股以及和合肥产投的合作，存储器国产化形成了由紫光集团（武汉新芯负责生产运营）和兆易创新（大基金持股11%，与存储器重要地方平台合肥产投深度合作）为主导的两大运作平台。
根据协议，公司预计将在2023年前将合肥长鑫收入体内，从长期来看解决公司不具有产线的核心发展问题，极大利好长期发展。从运营维度来看，在一切顺利的情况下，公司与合肥产投的合作可以分为两大阶段：（a）在2018年12月31日前，19nm 12英寸晶圆存储器（含DRAM等）实现产品良率不低于10%。（b）在目标实现后5年内，通过自身和/或与共同认可第三方收购合肥产投权益。
公司与合肥产投的合作，非常具有中国特色，条款设计高明，极大解决公司长期发展桎梏。首先主流存储器（DRAM/NAND)由于工艺复杂特殊，难以使用代工厂通用工艺，因此全球存储器大厂悉数自建晶圆厂，但悖论在于晶圆厂建设所费资金巨大，前期建设数百亿，资本支出亦超百亿（以美光为例，2016财年公司资本支出58亿美元，研发费用16.17亿美元），且前期要承受巨大亏损（单以NOR龙头旺宏为例，12寸产线投产后连年亏损）。
通过与合肥产投合作的模式，兆易创新走出了存储器发展的第二条中国特色道路：（1）根据协议，合肥长鑫将优先承接兆易创新DRAM代工需求，价格参照市场行情且给予最佳优惠，因此通过合作协议公司实质性拥有了自身的DRAM产线，极大保证未来发展。（2）但另一方面，项目由兆易创新与合肥产投根据1:4的比例负责筹集，极大避免前期亏损（合肥产投在京东方A上也是同样的运作模式）。
公司DRAM、NAND、NOR三箭齐发，中国三星雏形初显。因此公司未来将有两大生产基地，中芯国际（以北京为主）和合肥长鑫，从产品端，公司DRAM，NOR，(SLC) NAND全线布局，从30亿美金市场规模的NOR Flash和10亿美金的SLC NAND进入400亿美元的DRAM市场，中国三星雏形初显！