根据数据存储方式 NAND闪存可分四种类型

很多人难以区分NAND闪存的种类，于是三星半导体官方便发文进行了一番科普。

三星半导体官方称根据数据的存储方式，NAND闪存可以分为四种类型:SLC(Single Level Cell，单层单元)、MLC (Multi Level Cell，多层单元)、TLC (Triple Level Cell，三层单元)和QLC(Quadra LevelCell，四层单元)。

为便于了解NAND闪存的类型和特点，我们首先需要了解存储的数据以及存储数据的空间“单元”(Cell)。如果将数据视为“人”,那么单元就是“半导体中的小房间”意即数据存储在单元里。

SLC是在一个单元里存储一个数据，数据以“1"或“0”的形式进行存储，操作简单，错误少速度快，相对稳定。

MLC是在一个单元里存储两个数据，数据存储形式为“00、01、10、11”，价格相对便宜，但数据处理速度要慢一些。

TLC在一个单元中存储三个数据，而QLC在一个单元中存储四个数据。虽然可以存储大量数据，但由于存储在一个单元中的数据量很大，因此与SLC和MLC相比，它们的数据处理速度会更慢一些。